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西安電子科技大學寬帶隙半導體國家重點實驗室官方網站建設制作改版項目落地新勢力網絡。西安電子科技大學寬帶隙半導體國家重點實驗室官方網站:https://kdx.xidian.edu.cn/
西安電子科技大學寬帶隙半導體國家重點實驗室是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,于2007年獲國家批復建設。目前主要研究方向包括:寬禁帶半導體材料生長機理與方法、寬禁帶半導體器件制備與應用、新型半導體器件與集成電路技術系統應用研究。經過十幾年的建設與發展,重點實驗室已成為西安電子科技大學國家集成電路人才培養基地、國家示范性微電子學院、“電子科學與技術”一級學科、“微電子學與固體電子學”和“集成電路設計與集成系統”國家重點學科的重要支撐。
重點實驗室從上世紀90年代開始從事寬禁帶半導體方面科學研究和人才培養,目前已成為國內外開展寬禁帶半導體材料和器件科學研究、人才培養、學術交流、校企合作、成果轉化等工作的重要基地,2020年獲國家自然科學基金創新研究群體。
實驗室建有一千五百多平方米的寬禁帶半導體超凈工藝研發線,最高潔凈度達百級,設備原值近2億元,可滿足化合物半導體器件制備流片工藝的技術要求。擁有材料生長設備研制、材料生長工藝、器件研制工藝、器件可靠性測試以及VLSI電路系統應用設計等若干項自主關鍵技術,在寬禁帶半導體科研體系方面具有明顯特色。
重點實驗室相關研究成果獲得國家技術發明獎3項、國家科技進步獎4項、國家教學成果獎2項、省部級一等獎10余項,郝躍院士獲2019年度陜西省最高科學技術獎。實驗室重視研究成果轉化與應用,“氮化鎵紫外光電技術”、“高效模數轉換器及前端集成系統”、“氮化鎵微波功率器件”、“低功耗集成電路系統芯片技術”等多項研究成果已經應用于國家和國民經濟重點工程,實現產業化技術轉移,推進5G通信基站、紫外工業光電應用等相關產業發展。
